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當磁控濺射系統(tǒng)入射離子的能量低于某一臨界值(閥值)時,不會產(chǎn)生濺射;濺射原子的能量比蒸騰原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時,濺射原子角分布就不完全符合余弦分布規(guī)則。角分布還與入射離子方向有關(guān)。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向。因為電子的質(zhì)量很小,所以即便使用具有高能量的電子炮擊靶材也不會產(chǎn)生濺射現(xiàn)象。因為濺射是一個復(fù)雜的物理過程,觸及的因素許多,長期以來關(guān)于濺射機理盡管進行了許多的研究,提出過許多的理論,但都難以完善地解釋濺射現(xiàn)象。
磁控濺射體系設(shè)備的穩(wěn)定性,對所生成的膜均勻性、成膜質(zhì)量、鍍膜速率等方面有很大的影響。磁控濺射體系設(shè)備的濺射種類有許多,按照使用的電源分,能夠分為直流磁控濺射,射頻磁控濺射,中頻磁控濺射等等。
直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源,通常在300~1000V,特點是濺射速率快,造價低,后期維修保養(yǎng)便宜。但是只能濺射金屬靶材,如果靶材是絕緣體,隨著濺射的深入,靶材會集合很多的電荷,導(dǎo)致濺射無法持續(xù)。因此關(guān)于金屬靶材通常用直流磁控濺射,因為造價便宜,結(jié)構(gòu)簡單,現(xiàn)在在工業(yè)上應(yīng)用廣泛。
在裝修領(lǐng)域的應(yīng)用,例如各種全反射膜和半通明膜,例如手機殼,鼠標等。作為微電子領(lǐng)域的非熱鍍膜技能,首要用于化學(xué)氣相堆積(CVD)或金屬有機化學(xué)氣相堆積(CVD)難以生長而且不適合用于材料的薄膜堆積,而且可以獲得大面積的十分均勻的薄膜。在光學(xué)領(lǐng)域:IF封閉場非平衡磁控濺射技能也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(例如抗反射涂層),低輻射率玻璃和通明導(dǎo)電玻璃中。 特別地,通明導(dǎo)電玻璃現(xiàn)在廣泛地用于平板顯示設(shè)備,太陽能電池,微波和射頻屏蔽設(shè)備和設(shè)備以及傳感器中。
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